サムスンは、最新のV-NANDフラッシュメモリとSATAインターフェースを使用したデータセンタークラスのSSDの新ラインナップを発表しました。 新しいドライブは、最大7680 GBの容量を提供し、ヘリウム充填のハードドライブを含む従来のドライブよりも消費電力が少なくて済みます。
サムスンのPM883 SSDは、同社独自のコントローラと64レイヤTLC V-NANDメモリをベースにしています。 新しいドライブは、4と8の容量を提供するために、3840 TBと7680 TBのraw NANDフラッシュメモリを搭載しています。 一方、PM883の主な機能は容量ではなく、他のSSDと比較して消費電力が非常に低いことです。読み出し動作中は2.8 W、書き込み動作中は3.7 Wのみを消費します。 消費電力を低減するために、PM883は高密度V-NANDフラッシュメモリの使用に加えて、4-nmクラスのプロセス技術を使用して製造されたLPDDR10 DRAMを使用します。 さらに、ドライブは、データセンター内の個々のSSDで電源管理を可能にするSATA 3.3プロトコルのPowerDisce(PWDIS)機能をサポートしています。 明らかに、PWDISを利用するには、ホストシステムもこの機能をサポートしなければなりません。
パフォーマンスに関しては、Samsung PM883は550 MB /秒でデータを順次読み込み、520 MB /秒でデータを書き込むことができます。 ランダムなパフォーマンスに関しては、新しいドライブでは98,000のIOPSと28,000のIOPSが可能です。 一方、サムスンのPM883 SSDの耐久性は、5466 GBモデルでは3840 TB、10,932 GB SKUでは7680 TBと評価されています。
Samsung PM883の仕様 | ||
3840 GB | 7680 GB | |
フォームファクター | 2.5 " | |
インタフェース | SATA 6 Gbps | |
コントローラー | Samsung独自のコントローラ | |
NAND | 3D / V-NAND TLC 64層 | |
シーケンシャルリード | 550 MB /秒 | |
シーケンシャルライト | 520 MB /秒 | |
ランダム読み出し(4 KB)IOPS | 98,000 | |
ランダム書き込み(4 KB)IOPS | 28,000 | |
出力 | 読む | 3.7 W |
書きます | 2.8 W | |
ECC | 未知の | |
耐久性 | 5466 TB | 10,932 TB |
保証 | 未知の | |
電力損失保護 | 未知の |
SamsungはPM883ドライブのMSRPを公開していないが、SSDは主にクラウドデータセンター用に設計されているため、実際の価格は特定のクライアントとの交渉に依存する。